Wyślij wiadomość
VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.
vbe003@vbejammer.com 86-755-86239323
Dom
Produkty

Jammer sygnału telefonu komórkowego

Jammer Signal Wifi

Ręczny Jammer Sygnału

Zagłuszacze bomby konwoju

Zagłuszacze telefonów komórkowych

Jammer sygnału wysokiej mocy

Przenośny Jammer Signal

Zagłuszacz sygnału GPS

Anti Drone Jammers

Detektory dronów

Przechwytywanie przez telefon komórkowy

Moduł wzmacniacza mocy RF

Repeater sygnału telefonu komórkowego

Wzmacniacz sygnału mobilnego

Detektor sygnału RF

Tranzystor mocy RF

Komponenty pasywne RF

Anteny RF
O nas
profil firmy
Wycieczka po fabryce
Kontrola jakości
Skontaktuj się z nami
Aktualności
Zakupy
polish
English
French
German
Italian
Russian
Spanish
Portuguese
Dutch
Greek
Japanese
Korean
Arabic
Hindi
Turkish
Indonesian
Vietnamese
Thai
Bengali
Persian
Polish
zacytować
Dom
Produkty
Jammer sygnału telefonu komórkowego
Jammer Signal Wifi
Ręczny Jammer Sygnału
Zagłuszacze bomby konwoju
Zagłuszacze telefonów komórkowych
Jammer sygnału wysokiej mocy
Przenośny Jammer Signal
Zagłuszacz sygnału GPS
Anti Drone Jammers
Detektory dronów
Przechwytywanie przez telefon komórkowy
Moduł wzmacniacza mocy RF
Repeater sygnału telefonu komórkowego
Wzmacniacz sygnału mobilnego
Detektor sygnału RF
Tranzystor mocy RF
Komponenty pasywne RF
Anteny RF
O nas
profil firmy
Wycieczka po fabryce
Kontrola jakości
Skontaktuj się z nami
Aktualności
Aktualności
Sprawy
Zakupy
VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.
produkty
Dom /

produkty

700-1000 MHz FET LDMOS Tranzystory RF dużej mocy 28 V 260 W ze zintegrowaną ochroną ESD
700-1000 MHz FET LDMOS Tranzystory RF dużej mocy 28 V 260 W ze zintegrowaną ochroną ESD
700-1000 MHz FET LDMOS Tranzystory RF dużej mocy 28 V 260 W ze zintegrowaną ochroną ESD
700-1000 MHz FET LDMOS Tranzystory RF dużej mocy 28 V 260 W ze zintegrowaną ochroną ESD
700-1000 MHz FET LDMOS Tranzystory RF dużej mocy 28 V 260 W ze zintegrowaną ochroną ESD
700-1000 MHz FET LDMOS Tranzystory RF dużej mocy 28 V 260 W ze zintegrowaną ochroną ESD

700-1000 MHz FET LDMOS Tranzystory RF dużej mocy 28 V 260 W ze zintegrowaną ochroną ESD

Szczegóły produktu

Miejsce pochodzenia: CHINY

Nazwa handlowa: VBE

Orzecznictwo: ISO

Numer modelu: VBE09260B2

Warunki płatności i wysyłki

Minimalne zamówienie: 1SZT

Szczegóły pakowania: Neutralne pakowanie

Czas dostawy: 5-8 dni roboczych

Możliwość Supply: 10 tys

Najlepszą cenę
Skontaktuj się teraz

Specyfikacje

Opis
Specyfikacje
High Light:

tranzystor wysokiej mocy rf

,

tranzystor mocy wysokiej częstotliwości

Warunek:
Nowe i oryginalne
Warunek:
Nowe i oryginalne
Opis
700-1000 MHz FET LDMOS Tranzystory RF dużej mocy 28 V 260 W ze zintegrowaną ochroną ESD

Tags:

tranzystor wysokiej mocy rf,

tranzystor wzmacniacza mocy rf,

tranzystor mocy wysokiej częstotliwości

Produkty podobne
Trwały tranzystor mocy RF Szerokopasmowy prąd stały do ​​6GHz 25 W Azotek galu 28 woltów

Trwały tranzystor mocy RF Szerokopasmowy prąd stały do ​​6GHz 25 W Azotek galu 28 woltów

Najlepszą cenę
Szerokopasmowy 700-3600 MHz 20 W RF Tranzystor mocy LDMOS FET 28 V Szerokopasmowy tranzystor LDMOS RF, tranzystory RF dużej mocy

Szerokopasmowy 700-3600 MHz 20 W RF Tranzystor mocy LDMOS FET 28 V Szerokopasmowy tranzystor LDMOS RF, tranzystory RF dużej mocy

Najlepszą cenę
Doskonała stabilność termiczna Rf Wzmacniacz mocy Tranzystor LDMOS FET 28 V. Trwały

Doskonała stabilność termiczna Rf Wzmacniacz mocy Tranzystor LDMOS FET 28 V. Trwały

Najlepszą cenę
Tranzystor mocy wysokiej częstotliwości z materiału stałego o szerokim paśmie prądu stałego Do 3GHz 120 W.

Tranzystor mocy wysokiej częstotliwości z materiału stałego o szerokim paśmie prądu stałego Do 3GHz 120 W.

Najlepszą cenę
700-1000 MHz FET LDMOS Tranzystory RF dużej mocy 28 V 260 W ze zintegrowaną ochroną ESD

700-1000 MHz FET LDMOS Tranzystory RF dużej mocy 28 V 260 W ze zintegrowaną ochroną ESD

Najlepszą cenę
Szerokopasmowy HF do 1GHz 55 W RF Tranzystor mocy zgodny z LDMOS FET 28 V RoHs

Szerokopasmowy HF do 1GHz 55 W RF Tranzystor mocy zgodny z LDMOS FET 28 V RoHs

Najlepszą cenę
Azotek galu 28 V RF Tranzystor mocy Szerokie pasmo 700 Do 5000 MHz 25 W Długa żywotność

Azotek galu 28 V RF Tranzystor mocy Szerokie pasmo 700 Do 5000 MHz 25 W Długa żywotność

Najlepszą cenę
DC To 8GHz 6W Rf Wzmacniacz tranzystorowy Azotek galu 28V Oryginalny nowy stan

DC To 8GHz 6W Rf Wzmacniacz tranzystorowy Azotek galu 28V Oryginalny nowy stan

Najlepszą cenę
Zatwierdzenie ISO Tranzystor mocy wysokiej częstotliwości Szerokopasmowy 700 do 6000 MHz 15 W.

Zatwierdzenie ISO Tranzystor mocy wysokiej częstotliwości Szerokopasmowy 700 do 6000 MHz 15 W.

Najlepszą cenę
Wyślij zapytanie
Prosimy o przesłanie Państwa wniosku, a my odpowiemy Państwu tak szybko, jak to możliwe.
Wyślij
O
profil firmy
Wycieczka po fabryce
Kontrola jakości
Skontaktuj się z nami
Sitemap
Polityka prywatności
produkty

Jammer sygnału telefonu komórkowego

Jammer Signal Wifi

Ręczny Jammer Sygnału

Zagłuszacze bomby konwoju

Zagłuszacze telefonów komórkowych

Jammer sygnału wysokiej mocy

Skontaktuj się z nami
VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.
vbe003@vbejammer.com
86-755-86239323
Piętro 4, budynek 8, strefa przemysłowa Xinwei, dystrykt Nanshan, Shenzhen, prowincja Guangdong, Chiny
Chiny Dobra jakość Jammer sygnału telefonu komórkowego Dostawca.Prawa autorskie © 2024 VBE Technology Shenzhen Co., Ltd. . Wszystkie prawaSkryty.